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          宜特檢測(cè) 晶背FIB線(xiàn)路修改(Backside FIB)

          文章來(lái)源:宜特檢測(cè) 上傳時(shí)間:2017-11-24 瀏覽次數(shù):
          文章摘要:IC晶背FIB線(xiàn)路修補(bǔ),IC晶背FIB線(xiàn)路修改公司,宜特檢測(cè)晶背FIB線(xiàn)路修改(Backside FIB)FIB在芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中,F(xiàn)IB 已是廣為使用的電路修改工具;目前的施作方式主要由芯片正面進(jìn)行,但隨著制程與封裝技術(shù)演進(jìn)面臨到兩大挑戰(zhàn):覆晶封裝:因封裝基材的限制無(wú)法從芯片正面施工,F(xiàn)IB電路修改須從晶背(Silicon)來(lái)進(jìn)行。金屬層數(shù)增加:隨著制程演進(jìn),IC 所用的金屬繞線(xiàn)層數(shù)增加,用傳統(tǒng)方...

          IC晶背FIB線(xiàn)路修補(bǔ),IC晶背FIB線(xiàn)路修改公司,宜特檢測(cè)

          晶背FIB線(xiàn)路修改(Backside FIB)

          FIB在芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中,F(xiàn)IB 已是廣為使用的電路修改工具;目前的施作方式主要由芯片正面進(jìn)行,但隨著制程與封裝技術(shù)演進(jìn)面臨到兩大挑戰(zhàn):

          • 覆晶封裝因封裝基材的限制無(wú)法從芯片正面施工,F(xiàn)IB電路修改須從晶背(Silicon)來(lái)進(jìn)行。

          • 金屬層數(shù)增加隨著制程演進(jìn),IC 所用的金屬繞線(xiàn)層數(shù)增加,用傳統(tǒng)方式由芯片正面對(duì)底層的金屬繞線(xiàn)作修改難度越來(lái)越高。
            宜特已于數(shù)年前開(kāi)始建立晶背 FIB 施工的相關(guān)技術(shù),有實(shí)際經(jīng)驗(yàn)可提供客戶(hù)相關(guān)服務(wù)。若須進(jìn)一步信息,請(qǐng)聯(lián)絡(luò)我們。

          關(guān)于宜特:

          iST始創(chuàng)于1994年的中國(guó)臺(tái)灣,主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、失效分析、材料分析、無(wú)線(xiàn)認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海,全球現(xiàn)已有7座實(shí)驗(yàn)室12個(gè)服務(wù)據(jù)點(diǎn),目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。

          **咨詢(xún)熱線(xiàn):8009880501

          IC晶背FIB線(xiàn)路修改(Backside FIB)


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